技术前瞻

2018-09-06 阅读(707)

2DEG的面密度随着AlGaN厚度的增加而增加，但它与AlGaN厚度的关系并不是线性的。当AlGaN厚度达到某个特定值时，2DEG的面密度不在随着厚度的增加而增加，几...

2018-09-05 阅读(4626)

与其他Ⅲ-Ⅴ族化合物不同，具有纤锌矿结构的GaN材料具有极强的压电极化效应，这一效应对AlGaN/GaN HEMT器件的性能和设计有很大的影响。对于离子型的半导...

2018-08-23 阅读(589)

自2008年AlGaN/GaN MIS-HFET成为研究热点以来，因无法像Si材料一样轻易的获得本征氧化层，GaN基MIS器件的栅介质材料就被广泛关注。包括SiNx、SiO2、Al2O3、AlN/A...

2018-08-22 阅读(623)

表面钝化是AlGaN/GaN HFET器件制备过程中的一项关键工艺。AlGaN/GaN晶格周期结构在势垒层表面突然中断，导致AlGaN层表面产生悬挂键并出现大量的缺陷和陷阱态...

2018-08-21 阅读(603)

2002年D.Buttari报道了一种数字化低损伤的湿法刻蚀AlGaN材料的方法，这本是刻蚀工艺的一次重大创新，但其刻蚀效率过低，一直未能引起工艺界的重视。本实...

2018-08-20 阅读(628)

2011年Ki-WonKim等人在RIE干法刻蚀后使用弱碱性的TMAH溶液处理刻蚀后的材料表面，可以在一定程度上改善刻蚀后的表面形貌，并提升器件性能。针对ICP刻蚀后...

2018-08-17 阅读(375)

形成凹槽栅最简单高效的方法是干法刻蚀，主要有电感耦合等离子体刻蚀（InductivelyCoupledPlasma，ICP）和反应离子刻蚀（ReactiveIonEtching，RIE））目前主要使用...

2018-08-14 阅读(4929)

AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（Hetero-junctionFieldEffectTransisitor，HFET）也称高电子迁移率晶体管（HighElectronMobilityTransisitor，HEMT），又称二维电子气场效应管（...

2018-08-13 阅读(587)

对AlGaN/GaN晶圆而言，材料特性对器件性能有着至关重要的影响，因此材料表征也是器件研究过程中一个必不可少的环节。根据工艺线上已有的测试设备，本...

2018-08-10 阅读(610)

本文对不同温度下AlGaN/GaNHEMT器件的小信号特性进行仿真，热接触的温度分别设定为300K、325K、350K、375K、400K和425K，主要分析高温工作条件下器件的电流增益...