技术前瞻

2018-11-27 阅读(528)

宽禁带化合物半导体氮化镓（GaN）的研究，是近十年来关注的焦点。制备氮化镓薄膜的技术也相应得到迅速发展，如金属化合物气相沉积（MOVCD）、分子束...

2018-09-28 阅读(470)

大量研究表明,表面陷阱态在电流崩塌中起关键作用。电流崩塌的各种瞬态现象与器件的表面有密切关系。由于电流崩塌与表面状态的强相关性，抑制电流崩...

2018-09-27 阅读(703)

电流崩塌效应严重影响器件的性能，研究者们都在不断努力减小甚至消除电流崩塌现象。目前能够有效减小电流崩塌的方法有：器件表面钝化法和加帽层法...

2018-09-26 阅读(2234)

自发现电流崩塌现象以来，人们就开始对它进行研究，并提出了一些合理的模型来解释电流崩塌现象。但到目前为止，还没有一个模型可以完全解释AlGaN/...

2018-09-25 阅读(1143)

对于未钝化的HEMT器件，即使在考虑了测量误差的情况下，计算出的最大输出功率也往往与实验结果有很大偏差，而这个偏差就是由于电流崩塌效应引起的。...

2018-09-13 阅读(1189)

1. 肖特基势垒高度的影响 图1对应不同金属功函数情况下输出漏电流的情况，图a显示漏极电流随栅压变化的情况，通过比较不同功函数情况下的输出曲线，...

2018-09-12 阅读(363)

AlxGa1-xN势垒层中Al的组分x和极化电荷有着密切的关系，x与总的极化电荷密度的关系为线性关系，2DEG的面密度随AlGaN势垒层中Al组分的增加而线性增长。这与...

2018-09-11 阅读(849)

AlGaN/GaN HEMT的源极和漏极流过很大电流，要求有小的接触电阻，以免影响器件的性能。源极和漏极采用欧姆接触减小接触电阻。 金属与半导体接触可以形成...

2018-09-10 阅读(815)

AlGaN/GaN HEMT的栅极金属与AlGaN采用肖特基接触，遵守Schottky-Mott理论 qb是金属-半导体接触的势垒高度，qm是金属的功函数，指金属表面的电子跃迁到真空中所...

2018-09-07 阅读(1350)

在AlGaN/GaN HEMT中，存在三个接触界面：AlGaN和外界界面、AlGaN和GaN界面以及GaN和衬底界面。第一个界面由于工艺或结构的不同可能是与另一种半导体材料形成...