技术前瞻

2018-08-09 阅读(526)

本文对不同温度下AlGaN/GaN HEMT器件的直流特性进行仿真，主要研究高温工作下器件的输出特性和转移特性。模型中热接触的温度分别设定为300K、325K、350K、...

2018-08-08 阅读(441)

目前，关于AlGaN/GaNHEMT器件在关态电应力下性能退化的机制主要包括两种：热电子驱动的电子俘获效应和高电压驱动的逆压电极化效应。 对器件进行关态阶...

2018-08-07 阅读(325)

在关态恒定应力可靠性实验中，对器件施加关态恒定应力，持续时间5ks。应力大小VGstress=-8V，VDstress=25V，源端接地。应力过程中，器件沟道处于关断状态。...

2018-08-06 阅读(393)

对器件实施关态漏阶梯应力可靠性实验，应力条件为：源端接地，栅端应力电压VGstress=-8保持恒定，漏端应力电压VDstress从0V变化到40V，步长VDstep=2V，每阶段...

2018-08-02 阅读(371)

对器件实施关态栅阶梯应力可靠性实验，应力条件为：源端接地，漏端应力电压VDstress=0V，栅端应力电压VGstress从-2V变化到-40V，步长VGstep=2V，每阶段应力持...

2018-08-01 阅读(648)

高场应力下AlGaN/GaN HEMT器件参数的退化严重影响了器件的正常工作，是亟待决绝的可靠性问题之一。虽然关于GaN基HEMT器件的高场退化现象及退化机制的研究...

2018-07-31 阅读(501)

AlGaN势垒层/GaN缓冲层界面态的来源主要有：AlGaN势垒层材料表面周期性势场终止所引入的表面悬挂键；势垒层中存在的本征位错；材料生长和器件制备工艺...

2018-07-30 阅读(1621)

在对于半导体器件的研究中，界面特性的有效评估对于器件工艺技术的优化和开发都非常重要。众所周知，GaN HEMT器件能够工作的前提是AlGaN/GaN异质结的存...

2018-07-27 阅读(1143)

本文选取的测试样品为常规型AlGaN/GaN HEMT器件，对应的器件结构参数分别为：Lg=0.5m，Wg=50m，Lsd=3m，Lgs=0.9m。实验中，利用TTPX低温探针台和安捷伦B1500在77K~...

2018-07-27 阅读(2248)

对于不同的器件结构，在栅极结构形成过程中，由于所选取的半导体材料和金属结构不同，所形成的金-半接触其电流输运机制也会存在差异。对于本文所研...