AlGaN势垒层厚度与2DEG的关系

  2DEG的面密度随着AlGaN厚度的增加而增加，但它与AlGaN厚度的关系并不是线性的。当AlGaN厚度达到某个特定值时，2DEG的面密度不在随着厚度的增加而增加，几乎保持在一个稳定的值不再改变。图1给出了电子浓度分布及峰值浓度，比较不同AlGaN势垒层厚度的电子浓度，不考虑应变驰豫时，随着势垒层厚度的增加，电子浓度也随着增加。
(a) 20nmAlGaN (b) 30nmAlGaN (c) 40nmAlGaN 
图1 (a) 20nmAlGaN  (b) 30nmAlGaN  (c) 40nmAlGaN
 
  图2是AlGaN层厚度分别为20nm、30nm、40nm情况下不同栅压下输出漏电流，a图对应栅极电压0V的情况，b图对应栅极电压为-2V的情况，观察图中电流随AlGaN层厚度变化，显示随着AlGaN势垒层厚度的增加，输出电流也相应的增加。因此通过提高AlGaN层的厚度可以增加输出电流，然而AlGaN层的厚度太大则会出现应变豫弛。
(a)Vg=0V输出漏电流 (b)Vg=-2V输出漏电流 
图2 (a)Vg=0V输出漏电流  (b)Vg=-2V输出漏电流

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