技术前瞻

2018-03-23 阅读(386)

固溶体技术是半导体能带工程的重要领域之一。利用固溶体技术可以改变半导体材料的能带结构和晶格常数,为器件设计提供了更大的材料优选空间。 (1)固...

2018-03-23 阅读(769)

CaN的突出优点,还在于它结合了碳化硅的高击穿电场特性和砷化镓、锗硅合金和磷化铟等材料的高频率特性,在进一步提高功率开关器件的工作频率和微波器...

2018-03-23 阅读(1200)

BN、AlN、氮化镓(GaN)和InN在文献中常统称为Ⅲ-N化合物。Ⅲ-N化合物一般具有高熔点、高饱和蒸汽压和高温下结构不稳定的特点。例如,GaN晶体的熔点约为250...

2018-03-22 阅读(427)

射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，...

2018-03-22 阅读(372)

当人们思考电力电子应用将使用哪种宽禁带（WBG）半导体材料时，都会不约而同地想到氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)。这不足为奇。因为氮化镓或碳化硅是电力电...

2018-03-22 阅读(286)

2月1日，科技日报记者从中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（以下简称中科院苏州纳米所）获悉，该研究所与多家企业合作，成立了国内首家氮化镓基...

2018-03-22 阅读(420)

近日，美国研究人员发现了在200mm绝缘硅基衬底（SOI）上生长氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的新方法，该研究团队的主要成员来自于IBM T. J. Wa...

2018-03-22 阅读(392)

材料、信息、能源构筑的当代文明社会，缺一不可。半导体不仅具有极其丰富的物理内涵，而且其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下，可谓是最有...

2018-03-22 阅读(298)

提起照明，人们马上会想到灯具店中那些五颜六色的各式灯具。尽管这些灯具的形态各异，但其照明的核心部分灯泡其实主要只有两种：白炽灯和荧光灯。...

2018-03-22 阅读(882)

氮化镓比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出。氮化镓无论是...