氮化镓MOS

2019-04-29 阅读(272)

AlGaN缓冲层的凹槽栅型MOS-HEMT器件结构参数为：栅源间距Lgs=0.9m，栅长Lg=0.5m，栅宽为50um。MOS结构的栅介质为ALD原子层沉积生长的氧化铝5nm，而凹槽栅结构是...

2019-04-26 阅读(335)

GaN HEMTs器件的一个关键问题就是高的栅泄漏，这会导致过高的低频噪声和可靠性问题。在栅下增加一层绝缘层是有效地减小栅泄漏的办法。然而，额外的绝...

2019-04-24 阅读(170)

我们研究不同凹槽栅深度的MOS-HEMTs器件在高场电应力下（关态）的特性退化机理分析。电学应力条件为：栅压为-6V，让沟道处于完全关断的状态，漏压为...

2019-04-22 阅读(388)

图1(a)凹槽栅深度为0.62nm的MOS-HEMTs器件；(b)凹槽栅深度为2.71nm的MOS-HEMTs器件；(c)凹槽栅深度为3.25nm的MOS-HEMTs在7200s电学开态应力下的输出特性分析（栅压为...

2019-04-19 阅读(270)

1. Load-Pull功率测量系统 Load-Pull负载牵引，是一种与阻抗相关的、快速宽带的自动阻抗控制的测量技术。在很宽的范围内的源阻抗和负载阻抗加到被测器件上...

2019-04-17 阅读(382)

电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax是微波功率晶体管的两个重要特征值。要测试这两个参数，器件要工作偏置在最大的直流跨导条件下，用网络分析仪...

2019-04-15 阅读(357)

本文将对凹槽栅MOS-HEMTs器件的电流崩塌特性进行测试和机理分析。目前普遍认为造成电流崩塌的机制是AlGaN势垒层和GaN缓冲层存在大量的陷阱，这些陷阱的...

2019-04-11 阅读(236)

图1 利用DCIT的方法测试不同凹槽栅深度的MOS-HEMTs器件和常规MOS-HEMTs器件的击穿特性，插图为击穿电压随着凹槽栅深度的变化。 我们采用漏电流注入方法（...

2019-04-09 阅读(358)

本文主要针对不同凹槽栅深度MOS-HEMTs器件的直流特性作分析，研究凹槽栅结构对MOS-HEMTs器件的输出特性，转移特性，亚阈值特性与肖特基栅泄漏。测试所选...

2019-04-03 阅读(1136)

如图1所示，在蒸栅前，通过光刻机分场曝光，将圆片分为五个场（A场刻蚀15s，B场刻蚀17s，C场刻蚀19s，D和E场都不刻蚀）。在生长栅介质前E场先蒸栅金属，...