氮化镓晶体管与硅管相似，也是电压型驱动。但与Si MOSFET不同的是，GaN功率晶体管的栅源极驱动电压范围为-5~+6V，驱动电压高电平不可超过6V。为了获得较小的驱动电阻，驱动高电平一般设置在5V左右，考虑到高频工作条件下回路的寄生感抗会引起较大的驱动振荡，驱动电压的安全裕量很小，TI公司的相关资料表明，氮化镓管的驱动电压安全裕量小于0.5V。而GaN相对于Si MOSFET的一个重要优势在于高频性能优异，因此简单沿用现有的Si MOSFET的驱动是不可取的。这给晶体管的高频驱动电路提出了难题，阻碍了GaN晶体管往更高开关频率推进。
下面简单分析几种常见驱动方式的优缺点，以寻求适应于1MHz工作条件的氮化镓晶体管驱动方式。
1）谐振型驱动
随着开关频率的提高，近些年来，一些学者提出了谐振驱动的概念，即利用谐振网络来实现开关管的驱动。谐振型驱动的核心思想是在驱动电路中加入LC谐振电路，利用开关管内部的寄生电容与外部电感谐振来实现开关管的驱动，并对储存在谐振电感中的能量进行有效回收，从而减小驱动损耗。典型的谐振驱动电路由于高频性能不佳，难以适应氮化镓晶体管对驱动的要求，有文献通过使用PMOS与NMOS代替高端和低端的两个二极管，降低了充电恢复过程中输出驱动电压的振荡尖峰，减小了驱动电路损耗，能够改善高频驱动情况，基本电路结构如图1。
图1 谐振型驱动优化拓扑
图中Q为被驱动的开关器件，Cin为器件的等效输入电容，Lr为谐振电感，它用来与电容Cin谐振工作，但是谐振型驱动只有在超高频场合才能发挥其优势。例如在输出功率20W的场合，选用开关器件EPC2001，驱动电压设为5V。当开关频率为1MHz时，驱动损耗为0.04W，占输出总功率的0.2%；当开关频率为10MHz时，驱动损耗占输出功率的2%，此时采用谐振型驱动才有可能获得整体效率的提升，当开关频率低于10MHz时，由于驱动电路额外的导通损耗和驱动损耗，这种复杂的谐振驱动电路收效甚微。
2）自举驱动
另一种常用的驱动电路为自举驱动电路，图2给出了自举驱动电路基本结构，其中C1是自举电容，D是自举二极管，Vcc是整流下管的供电电压。
在整流管Q1、Q2互补导通的情况下，死区时间内，两管均处于关断状态，电流Iload经开关管反向导通机制续流。与Si MOSFET不同的是，Iload不再通过寄生体二极管续流，而是通过氮化镓的反向导通机制续流。
图2 自举驱动方式示意图
在死区时间内，D、C1、Q2组成通路，Vcc通过这一通路给自举电容充电，因此，可以得到C1上的稳态电压Vc1为：
Vc1=Vcc-VD-(-Vsd) (3.2)
由于自举电容为开关管Q1提供驱动电压，因此开关管Q1的驱动电平的稳态值为Vc1。由于氮化镓晶体管的反向导通压降Vsd远大于普通二极管，Vcc与这一电压叠加后，自举电容电压可能超过6V，从而导致晶体管损坏。3）拉/灌电流独立的驱动电路
图腾柱结构是一种传统的驱动电路结构，在Si MOSFET的应用中，通常在输出通路中反并一个二极管，加速关断，从而适应高频工作环境。但是对于氮化镓晶体管，这种加速关断的方式不再适用。由于氮化镓晶体管的最小门槛电压Vth仅有0.7V，管子关断时，反并二极管的导通压降极易造成氮化镓晶体管误开通，因此，输出与输入回路一体的驱动电路结构不再适用于氮化镓晶体管。
有文献提出了一种开通与关断时电流回路相互独立的图腾柱结构，图3给出了这种驱动电路的基本结构。其中拉电流和灌电流分别存在两条独立的回路中，避免了相互之间的影响，经验证能够避免氮化镓晶体管的误开通。
图3 拉/灌电流独立的驱动电路
对比上述三种方案的优缺点，其中自举驱动方式中的晶体管反向导通压降Vsd较大的问题不易解决，目前提出的解决方案电路结构较为复杂，有待其进一步的集成化发展。而改进型谐振驱动电路和拉/灌电流独立的驱动电路是专门针对高频氮化镓晶体管特性提出的，适应高频工作，但是谐振型驱动电路较为复杂，电路在超高频的场合下才具备明显的应用优势，对于开关频率1MHz的应用场合，推荐选用第三种驱动电路。