氮化镓MOS

2019-04-01 阅读(317)

1. 凹槽栅深度对 GaN HEMTs 器件特性的影响 GaN HEMTs器件是基于沟道二维电子气而工作的，AlGaN势垒层上的肖特基是通过加偏压来改变沟道耗尽区的厚度，从而...

2019-01-17 阅读(532)

是什么控制突破性技术的普及率? 三十年的硅功率MOSFET历程告诉我们，控制突破性技术的普及率有四大关键因素: 1.这种技术能否推动重大的新功能的出现？...

2019-01-15 阅读(662)

热阻是确定分立功率器件的热性能的一个主要因素。我们根据一个器件的热阻性能可以推算用户能应用的最大功耗和电流。我们非常了解传统的硅MOSFET的热...

2018-11-29 阅读(655)

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料，其器件在抗辐射、高温、高压和高功率的要求下已逐渐不能满足现在电子技术的发展。宽禁带半导体(SiC、GaN等)电子器...

2018-10-31 阅读(374)

实验过程中，发现样品在积累区出现小幅度的频率散射现象，如图1所示，在正偏压积累区，样品的电容随着频率的增大而减小。我们认为可能与两种缺陷机...

2018-10-30 阅读(362)

界面缺陷态表征的基本原理是界面缺陷电荷与半导体发生载流子交换，只有界面缺陷捕获和发射电子，才能在C-V曲线中体现出来。但室温状态下，GaN由于较...

2018-10-29 阅读(559)

实验所用的衬底是基于蓝宝石衬底上MOCVD法生长的n型GaN衬底(缺陷密度~10 10 cm -2 )。标准清洗后将GaN外延片放入2%的HF溶液中浸泡10s去除氧化层，经过标准的光...

2018-10-17 阅读(365)

为了降低GaN基MOS HEMT器件的栅极漏电流，提升器件的可靠性和稳定性，通常需要制备高质量的高介质层，因此薄膜的制备技术显得格外重要。当前制备高材...

2018-10-16 阅读(1780)

由以上介绍可知，界面态密度是衡量介质层/半导体界面质量的一个重要指标，因此准确地表征介质层/半导体的界面缺陷态对研究MOS器件具有重要的意义。...

2018-10-15 阅读(1863)

随着半导体技术的发展，半导体器件面临越来越多的稳定性和可靠性难题。MOS电容是MOS器件的重要组成部分，与器件的稳定性和可靠性息息相关；电容-电压...