氮化镓MOS

2018-03-22 阅读(1335)

CaN微波功率器件主要是指AIGAN/GaN异质结高电子迁移率晶体管,简称GAN HEMT。尽管这种器件的制造工艺目前还远不如碳化硅 MESFET成熟,但其器件性能远非碳化硅...

2018-03-22 阅读(905)

受材料制备与加工技术的限制,目前已成功进入电力电子器件研发领域的宽禁带半导体,除碳化硅外,主要是氮化镓和以氮化镓为基的三元系合金(Ⅲ-N合金),例...

2018-03-22 阅读(373)

新型半导体材料和器件的研究与突破，常常带来新的技术革命和新兴产业的发展。以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，是继以硅（Si）为代表的第...

2018-03-22 阅读(419)

图1是Ueda等人2005年发表的一个常规形式 Gan HEMT的元胞结构及其关键尺寸的示意图。该器件的主要工艺是用 MOCVD法在蓝宝石衬底上借助AlN缓冲层生长不故意掺...

2018-03-22 阅读(442)

AIGAN/GaN异质结界面晶格失配位错使HEMT阻断状态下的栅极漏电流很高。为此,Yagi等人于2007年发表了他们用MIS栅取代MES栅的解决方案。图1是这种器件的元胞结...

2018-03-22 阅读(643)

从耗尽型到增强型的转变，跟所有场效应晶体管一样,实际应用也需要增强型HEMT,因为增强型器件不需要负电压供电;同时,在数字电路中用增强型器件和耗尽...

2018-03-22 阅读(736)

增强型GaNHEMT的基本制造工艺及相关参数如下： 1) 用MOCVD法在蓝宝石衬底上顺序外延2.5m不掺杂的GaN和总厚20nm的变杂质浓度Al 0 .12 5 Ga 0 . 3 7 5 N势垒层,各层厚...

2018-03-22 阅读(1353)

由于未经特殊处理的GaN异质结场效应晶体管是需要复杂驱动电路的常开型器件，且栅极漏电流较大，因而栅电流很小又容易做成常关型的氮化镓MOS结构自然...