微波晶体管的S参数是在某一频率和某一偏置条件下，使输入端或输出端匹配时测得的，因此微波晶体管的S参数是频率和工作状态的函数，其使用频率和偏置条件也应与测量条件相同。在宽带放大器设计中，就需要在若干个频率点上进行测量。用网络分析仪可以方便地测出晶体管的S参数。通过测量不同频率下的S参数，推导出电流的短路电流增益H21和单向最大可用功率增益MAG。绘出增益和频率的特性曲线，通过电流增益和单向功率增益外推到0dB时的频率，分别为fT和fmax。
图1 (a)常规MOS-HEMTs器件；(b)槽深为0.62nm的凹槽栅MOS-HEMTs器件；(c)槽深为2.71nm的凹槽栅MOS-HEMTs器件；(d)槽深为325nm的凹槽栅MOS-HEMTs器件的电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax。
如图1所示，不同凹槽栅深度的MOS-HEMTs器件的小信号特性。从图中可知，常规MOS-HEMTs器件的fT和fmax分别为19.9%和12.5%，而凹槽栅深度为0.67nm、2.71和3.25nm的MOS-HEMTs器件的fT和fmax分别为18.8GHz和12.91GHz，18.4GHz和12.5GHz，19.6GHz和12.9GHz。和常规的HEMTs器件相比，MOS栅介质的引入并没有使fT的值发生退化，而使fmax的值减小了很多，说明了这层栅介质对器件有较高的寄生效应，正是寄生电容的增加让MOS-HEMTs器件的小信号特性发生退化。`