Load-Pull负载牵引，是一种与阻抗相关的、快速宽带的自动阻抗控制的测量技术。在很宽的范围内的源阻抗和负载阻抗加到被测器件上（DUT），通过改变输出端负载，找出DUT参数的各种变化以及最佳值。在功率设备中，可利用Load-Pull系统测量电路的最佳输出阻抗、饱和功率、效率和线性度等大信号参数。广义的Load-Pull还包括Source-Pull这一概念，即源端负载牵引，它可以通过改变源端的负载阻抗，实现测量最佳输入阻抗、最大增益点等功能。
使用Load-Pull测试系统，结构图如图1所示，其中包括网络分析仪，信号产生器，信号分析仪，功率计，Tuner和控制软件等。首先通过测试系统校准，包括探针、网络分析仪、输出网络、功率计探头等系统校准过程。用Load-Pull寻找最佳匹配点，不可能一次就达到了最佳匹配，需要经过一系列的源端阻抗匹配和漏端阻抗匹配过程。首先，要先将源端阻抗固定在50欧姆，然后让负载端Tuner寻找最佳输出阻抗，然后再将负载端阻抗固定在这一点上，让源端的Tuner寻找最佳输入阻抗，如此重复几次后，才会得到较好的“最佳”匹配。
图1 MauryLoad-Pull负载牵引测试系统结构图。
2. 凹槽栅MOS-HEMTs器件大信号特性分析
测试时采用频率为4GHz，源漏距离为3.5um，器件栅长为0.5μm，栅宽为100um。图2给出了不同凹槽栅深度MOS-HEMTd器件的功率特性。测试时漏压为30V，栅压的偏置接近于阈值电压，使器件工作在AB类的状态。常规MOSHEMTs器件在4GHz下，漏压30V时的连续波功率密度和功率附加效率（PAE）分别为3.4W/mm和33.2%，凹槽栅深度为0.67nm的凹槽栅MOS-HEMTs器件的连续波功率密度和功率附加效率（PAE）分别为4.4W/mm和43.2%，凹槽栅深度为2.71nm的凹槽栅MOS-HEMTs器件的连续波功率密度和功率附加效率（PAE）分别为4.1W/mm和35.7%，而凹槽栅深度为3.25nm的凹槽栅MOS-HEMTs器件的连续波功率密度和功率附加效率（PAE）分别为4.2W/mm和36.1%。这说明凹槽栅结构的器件结构能够有效地提高MOS-HEMTs器件的功率特性。但随着凹槽栅深度的增加，器件的功率特性有微量的下降，这是由于栅介质与AlGaN势垒层处的界面态会造成栅延迟（电流崩塌），会影响到器件的功率特性。
图2 (a)常规MOS-HEMTs器件；(b)凹槽栅深度0.62nm的MOS-HEMTs器件；
(c)凹槽栅深度2.71nm的MOS-HEMTs器件；(d)凹槽栅深度3.25nm的MOS-HEMTs器件的功率测试。