图1所示，AlGaN缓冲层的凹槽栅型MOS-HEMT器件的最大饱和电流较小，才600多mA/mm，远小于常规GaN为缓冲层的AlGaN/GaN HEMTs的最大饱和电流。这是由于AlGaN代替了GaN作为缓冲层，这样AlGaN/GaN/AlGaN的极化效应强度要小于AlGaN/GaN的，从而二维电子气浓度有所减小，导致器件的最大饱和电流的降低。在漏压为10V时，器件的最大跨导值为225mS/mm，阈值电压为-1V，在漏压为3V时，跨导仍有150mS/mm，器件的栅压有较宽的工作范围。
图1 AlGaN缓冲层凹槽栅MOS-HEMTs器件的输出转移特性。
如图2所示，通过使用AlGaN作为缓冲层，会在器件沟道二维电子气的背势垒处拉高势垒高度，从而提高二维电子气的限域性，限制了热电子发射效应，减小栅正反向泄漏电流。可见背势垒结构的AlGaN缓冲层对器件关态特性和肖特基栅特性有着显著效果。但由于减小了异质结的极化强度，减小了二维电子气的浓度，所以这种结构应该择中选择。
图2 比较两种缓冲层结构的MOS-HEMTs器件的栅泄漏特性。