氮化镓MOS

2019-09-29 阅读(2519)

通常状况下，要实现GaN MOSFET有以下几个关键点（如图1所示）：1）一个漏电低的栅介质层；2）一个可以由栅压控制开启和关断的形成在衬底半导体上的MO...

2019-09-27 阅读(760)

以氮化镓（GaN）为代表的Ⅲ-V族宽禁带化合物半导体材料，具有高击穿电场、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，适用于制备大功率电力电子器件。大...

2019-07-29 阅读(454)

功率半导体器件在世界能源基础建设中起着至关重要的作用，据预测，到2030年，从发电到消费过程中，所生产的电能中有80%(从当今的30%将逐年增加)需要经...

2019-07-26 阅读(1511)

高功率密度是GaN HEMT广泛应用于如笔记本电脑适配器、平板电视和一体机台式机等低功耗消费类产品的一个主要切入点。LLC谐振变换拓扑结构能够有效提高...

2019-07-17 阅读(368)

本章根据A4WP第三等级的标准对ZVSD类及E类放大器拓扑在6.78MH2频率下进行测试并通过缩小了的阻抗范图采判断固有的工作范围极限。诸如器件的温度和电压极...

2019-06-10 阅读(2903)

N2O等离子体处理实现的增强型器件，和未经N2O等离子体处理的耗尽型器件的转移和输出特性曲线如图1所示。从图中可以观察到经过N2O等离子处理功率300W，...

2019-05-24 阅读(253)

中国内地和香港的研究者们称在4GHz条件和脉冲状态下，推出的氮化镓基增强型金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管中（MIS HEMTs）可获得最高的输出功率密度...

2019-05-13 阅读(369)

本文主要对AlGaN缓冲层凹槽栅MOS-HEMTs器件的电学可靠性进行了详细的测试和分析，内容主要包括器件在开态和关态这两种应力条件下长时间应力下器件电学...

2019-05-09 阅读(326)

1. AlGaN缓冲层凹槽栅MOS-HEMTs频率特性 电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax是微波功率晶体管的两个重要特征值，可以由S参数测量得到，测量过程中可以同...

2019-05-05 阅读(369)

AlGaN/GaNHEMT中的电流崩塌可以定义为：在一定条件下漏电流ID比预想值下降的现象。除此之外，栅延迟、漏延迟与应力之下的电流崩塌也为人们研究的重点。...