AlGaN/GaN异质结上GaN MOSFET的工艺版图如图1所示，一共设计完成了九层光刻掩膜板。它们分别是对位标记（MARK）、离子注入（ION）、台面隔离（MESA）、沟槽刻蚀（RECESS）、栅氧腐蚀（OXIDE）、源漏（SD）、栅（GATE）、种子层开口（HOLA）和厚电镀开口（PAD）。版图设计中的最小沟道长度尺寸为2μm，版与版之间的冗余设计距离为3μm。各个版图的详细功能如表1所示。
表1 GaN MOSFET的各层光刻掩膜板
图1 GaN MOSFET的版图
需要说明的是并不是所有的光刻版在GaN MOSFET的制作过程中都会被用到。根据具体的工艺情况，有一些版图可以省略。离子注入ION版只用在基于离子注入形成源漏的GaN MOSFET，用以替代AlGaN/GaN异质结GaN MOSFET中的MESA台面隔离版。OXIDE版可以在工艺中省略，因为有源区的栅介质层可以直接通过SD版开窗口后进行去除。当对器件的高频特性以及电极寄生电阻要求不高时，HOLE版和PAD版可以省略。
图2 四种GaN MOSFET测试图形
在版图中，设计了四种基本类型的GaN MOSFET图形。如图2（a）~（d）所示，它们分别是长沟道环形器件（LR），长沟道条形器件（LB），短沟道环形器件（SR）和短沟道条形器件（SB）。它们被用来评测GaN MOSFET的各种特性，如输出特性、转移特性、电容电压特性等。通过这些特性，可以计算出器件的沟道迁移率、界面态密度和其它一些基本参数。除了这四种GaN MOSFET图形，版图中还设计了一些必要的辅助测试或者工艺结构，如对位标记图形（e），MOS二极管图形（f），击穿测试图形（g），TLM电阻测试图形（h），和高频MOSFET测试图形（i）。从（a）到（i）所有这些图形均被标记在图1中的版图中。