技术前瞻

2018-07-23 阅读(1295)

对GaN HEMT而言，异质结界面处2DEG的变化将直接决定器件的工作状态，而2DEG的迁移率和浓度则是其中最关键的两个参数。因此，在文中，重点对低温下2DEG迁...

2018-07-20 阅读(865)

GaNHEMT的源、漏欧姆接触电阻的变化将直接影响器件的输出电流和膝点电压，为了深入分析常规器件输出电流在低温下所发生的变化，有必要对低温条件下器...

2018-07-19 阅读(438)

除了输出特性，转移曲线也是氮化镓器件一个重要的直流特性，通过对转移曲线求导，可以得到器件跨导，而跨导的大小则可以直接反映一个器件栅控能力...

2018-07-17 阅读(465)

近年来对器件尺寸缩小的要求，超薄体区(Ultrathinbody，UTB)的器件也越来越重要。在Si基器件中UTBSOI（Silicononinsulator）器件能在纳米尺度下提供载流子稳定的...

2018-07-10 阅读(505)

在耐压领域，普通AlGaN/GaN HEMT在承受耐压时，由于栅极和漏极之间沟道二维电子气不能够完全耗尽，使得沟道电场主要集中在栅极边缘，导致器件在较低的...

2018-07-06 阅读(1110)

传统AlGaN/GaN HEMT采用肖特基栅极，但传统肖特基栅极存在反向栅极泄漏电流较大的问题，这会退化器件的击穿电压、增益等关键性能参数，主要有两大原因...

2018-07-05 阅读(437)

为了抑制短沟道效应并避免上述不利因素，本文对一种复合金属栅结构的AlGaN/GaN HEMT进行仿真分析。该结构通过对AlGaN/GaN HEMT进行栅结构优化，利用一系列不...

2018-07-04 阅读(1141)

为提高器件的频率性能，当前应用于微波领域的AlGaN/GaN HEMT的主要研究方向是如何将器件的电流增益截止频率f T 和最高振荡频率f max 提高到最高，尤其是...

2018-07-03 阅读(9731)

由于目前主流的AlGaN/GaN HEMT均是沿Ga面生长，所以在此以Ga面AlGaN/GaN异质结结构为例，解释二维电子气产生机理。在Ga面AlGaN/GaN异质结结构中，由于通常生长...

2018-07-02 阅读(1432)

Ⅲ族氮化物的晶体结构一共有三种，分别为六方纤锌矿（Wurtzite）、立方闪锌矿（zinc-blende）和岩盐矿（rock salt）。在这其中闪锌矿结构并不稳定，而岩盐矿...