氮化镓MOS

2018-05-28 阅读(132)

隔离型以太网供电-供电设备转换器 在过去几年里,以太网供电的基准逐渐形成,其焦点是在新等级和类型的设备里,功率有系统地增加。根据有关以太网供电...

2018-05-25 阅读(291)

在设计48V至12V、基于eGaN FET的八分之一砖式转换器时,我们选用了相移全桥(PSFB)转换器,它使用全桥同步整流器(FBSR)的拓扑结构,如图1所示(更详尽的简图见图...

2018-05-24 阅读(258)

图1展示了降压转换器的基本电路。输入电压(V IN )与输出电压(V OUT )的比值越高，使用氮化镓场效应晶体管的优势就越明显,因为影响动态损耗的大部分因素...

2018-05-21 阅读(229)

在更高输出电流时,设计师通常会并联数个晶体管。我们在前面的文章讨论过并联具超高开关速度的氮化镓场效应晶体管的主要考虑因素。为评估并联MOSFE...

2018-05-18 阅读(229)

对于竞争激烈的笔记本电脑的给定性能来说,其关键的参数是电池寿命、重量和尺寸(特别是高度)。功率 MOSFET技术的最新发展是显著改善了负载点转换器的效...

2018-05-17 阅读(200)

当一个场效应晶体管可以可靠地开关、具低损耗及开关时间在10ns以下,那么由目前具有最短导通时间的硅MOSFET所产生的限制及问题都会消失。我们可以搭建...

2018-05-16 阅读(216)

为了提高降压转换器的频率,尤其是在高输入电压情况下,功率器件必须具有很低的动态损耗。影响动态损耗的其中一个主要因素是硬开关事件,即器件在电压...

2018-05-15 阅读(170)

氮化镓场效应晶体管可以并联使用吗？ 简单来说是可以的。可是,因为氮化镓场效应晶体管具有更高开关速度的性能,源极电感和栅极电感比MOSFET更重要。并...

2018-05-14 阅读(157)

某些情况下,一个转换器需要并联多个场效应晶体管,这样必需在双面板上焊接多个器件,以满足设计要求,其中一个方法是把四层板分配加倍变成八层的多层板...

2018-05-11 阅读(322)

我们讨论过并联eGaN FET版图的设计,最重要是将寄生电感减到最小,以取得最高性能的解决方案。所以单层及双层的印刷电路板的设计不可以选用,设计人员需...