图1针对一个并联了多个eGaN FET设计所建议的版图,其去稠电容器需要放置在场效应晶体管群旁边。虽然并联了八个场效应晶体管,版图仍然可以让所有栅极紧密地聚集在一起,使场效应晶体管之间具最低的电感值。
图1 建议的含多个eGaN FET版图,并把eGaN FET放置在电路板的两面。
通孔的考虑因素
要实现最佳解决方案,版图设计所使用的通孔的位置、种类及尺寸是非常重要的。所选择的通孔将最终控制开关电路版图的整体体积。当在低压应用中使用LGA封装的氮化镓器件时于,我们通常使用通孔的直径是6密耳(152微米),而孔环的直径是8密耳(203微米)。当电路板是使用两安士的铜,以上的尺寸是大部分印刷电路板生产商可接受的最高限制。
我们推荐通孔交错排列,如图2所示,以避免电路板发生裂开的情况。另外的一个办法，但会增加成本的是要求印刷电路板制造商把电路板旋转,使纤维结晶相对于板的边缘呈45度角度。
图2 在场效应晶体管的两面使用交错排列的通孔。
为确保电流可以从两个方向从器件流向印刷电路板,我们把通孔放置在器件的两侧，如图2所示。这有助减小传导电感。
通过设计解耦输出电流
另外的一个方法使感应电压进一步不与栅极电路耦合,就是设计版图时,输出功率电路相对器件之间的电路呈直角角度。这是个有效的方法分隔共源电感及器件之间的源极电感。图3显示了以上技术的一个例子,输出电流方向垂直于并联场效应晶体管之间的电感电路。
图3 使用输出功率电路相对器件之间的电路呈直角角度的准则，解耦共源电感与器件间电感。