图1对应不同金属功函数情况下输出漏电流的情况，图a显示漏极电流随栅压变化的情况，通过比较不同功函数情况下的输出曲线，可以看出随着金属功函数的增加，阈值电压绝对值会变小，输出电流减小，但对斜率基本没有影响。图b和c对应不同功函数下输出电流相对于漏源电压的情况，比较漏极电流的大小可以看出随着功函数的增加，输出漏电流会减小。
图1 (a)不同栅压下漏极电流 (b)Vg=0V漏极电流 (c)Vg=-2V漏极电流
提高功函数可以提高肖特基势垒，减小栅极的泄露电流，但这样也会降低输出漏极电流，因此需要根据情况做一个折中。然而实际上，理想的金属-半导体接触是不可能达到的，其主要原因是接触面存在表面态和界面层，因此实际的势垒高度和肖特基理论是不一样的。
2. 欧姆接触的影响
AlGaN/GaN HEMT的源极和漏极流过很大电流，要求有小的接触电阻，以免影响器件的性能，源极和漏极采用欧姆接触减小接触电阻。金属与半导体接触可以形成肖特基接触，也可以形成非整流的接触，即欧姆接触。欧姆接触不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。
图2是不同的欧姆接触电阻情况下的输出电流，欧姆方块电阻分别设置为400Ω、500Ω、600Ω。比较不同欧姆接触电阻情况下的输出电流如图2a（栅极电压0V）和图2b（栅极电压-2V）可以看出，随着欧姆接触电阻的增加，输出电流会减小。因此减小欧姆接触有利于提高HEMT器件的性能，增大输出电流。但是制作低电阻率的欧姆接触需要考虑很多因素，有表面态、掺杂、金属因素等。
图2 (a)Vg=0V输出漏电流 (b)Vg=-2V输出漏电流
不考虑表面态影响，若Wm<Ws，金属和n型半导体接触可以形成反阻挡层；而Wm>Ws时，金属和p型半导体接触也能形成欧姆接触。然而，一些半导体材料有很高的表面态密度，无论是n型还是p型材料与金属接触都会形成势垒，而与金属的功函数关系不大，因此不能通过选择金属材料的方法获得欧姆接触，但可以利用隧道效应的原理在半导体上制造欧姆接触。半导体重掺杂时，它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。掺杂浓度越高，接触电阻越小。因此，半导体材料重掺杂时，可以得到欧姆接触。制作欧姆接触最常用方法是用重掺杂的半导体与金属接触，由于耗尽区很薄，利用隧道效应，在零偏压下接触具有很低的电阻，可以有效地形成欧姆接触。