技术前瞻
氮化镓器件技术前瞻,生产研发技术动态,氮化镓厂家新器件。
金刚石GaN有着灿烂的未来？
由于GaN具有高很的电子迁移率和功率密度，是目前射频电子器件的首选技术，从达和卫星系统到信，以及电子战和功率转换系统上都有着广泛的应用。 然而...
GAN器件在L波段雷达中的应用性能及优势
作为空中交通管制基础设施的雷达及其相关设备的销售额一直在增长。其销售增长的部分原因是因为在发达国家大部分民用雷达基础设施都已接近其使用寿...
2019年射频GaN市场将接近5.6亿美元
Fe掺杂GaN缓冲层AlGaN/GaN HEMT材料生长
1. AlGaN/GaN HEMT结构材料生长 生长图1所示的GaN基HEMT结构材料，所用衬底为蓝宝石衬底，生长步骤如下： (1)首先在约50℃低温生长一层厚度为50nm的GaN成核层；...
Fe掺杂高阻GaN缓冲层的生长研究
1 . Fe掺 杂单层 GaN 外延材料的生长 采用MOCVD外延生长时，可以通过改变成核层的生长参数，例如生长压力、载气类型以及生长温度等，在GaN层中引入较高密...
实现高阻GaN材料的一般原理及方法
由于半导体材料的电阻率与导带电子浓度和电子迁移率的乘积与价带空穴浓度和空穴迁移率的乘积之和成反比，因此，要提高GaN材料的电阻率，就要减小...
GaN基HEMT技术发展面临的主要问题
(1) 极化效应对 GaN 基异质结构的影响及 2DEG 的形成化理 GaN基材料体系具有很强的自发极化和压电极化效应，这也是GaN基半导体材料优于其它半导体材料的一...
GaN/PEDOT:PSS薄膜的制备过程
1. 旋涂工艺 旋涂可用来制作多种不同厚度的薄膜，其工艺步骤包括4个阶段：沉积、扩散、旋离和蒸发(一般来说蒸发和其它3个阶段同时进行)。 (1)沉积阶段...
GaN E-D HEMT集成逻辑门电路特性
GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理特性和化学特性，尤其是高临界击穿场强、高电子饱和漂移速度等特性，使GaN基半导体材料在高压大功率以及高频器...
梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响
近年来，以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料已经被广泛的应用在发光二极管(LEDs)、激光器(LDs)以及高温、高频、大功率集成电子器件中。由于Ga...