技术前瞻

2018-06-27 阅读(1207)

1 . 氮化镓自身 氮化镓中主要是共价键，由于氮和镓两种组分在电负性上的明显差别，在该化合物中存在相当大的离子成分，它决定了各结构的稳定性。氮...

2018-06-26 阅读(2695)

氮化镓(Galliumnitride)基材料是指元素周期表中Ⅲ-A族的Al、Ga、In元素与Ⅴ-A族氮元素形成的一类化合物,它是直接带隙半导体,在室温下有很宽的带隙。20世纪...

2018-06-22 阅读(390)

阴 极荧光揭示出GaN基HEMT上A l 2 O 3 电介质中与氧相关的缺陷 工程师圆队通过空气退火步骤,修补了Al 2 O 3 层内和周围的缺陷,从而改善了金属氧化物半导体...

2018-06-21 阅读(395)

Ⅲ-V族氮化物具有宽的直接带隙、强化学键、耐高温、抗腐蚀等优良性能，是制造短波长 高亮度发光器件、高温晶体管、高功率晶体管和紫外光探测器等的...

2018-06-20 阅读(454)

宽带隙的Ⅲ族GaN基氮化物包括AIN、InN及其固溶体,它们的直接带隙能量在6.2eV(AIN) 到1.9eV(InN)之间连续可调,是制备蓝绿光到紫外光波段的发光二极管(LED)、激光...

2018-06-14 阅读(263)

GaN作为第3代半导体材料的典型代表，因其独特的物理、化学性质，在光电子和微电子领域有着巨大的应用前景。以GaN为基的LEDs和LDs的研制成功，更激发了...

2018-06-13 阅读(2256)

前言 对于宽带隙（宽禁带）材料和设备的研究工作已经持续许多年了，这些材料的特性令设计者非常满意，因为宽的带隙设备显著的性能改善超过了以硅为...

2018-06-01 阅读(591)

氮化镓交换机提供给设计工程师一系列众多关键好处,包括： 系统体积、重量和尺寸显著降低； 更高的工作温度/降低散热要求； 交换损耗更低/功率输出增...

2018-05-03 阅读(2580)

近日，比利时微电子中心IMEC与无晶圆厂公司Qromis宣布，Qromis在IMEC的硅晶圆先导工艺线上，基于200mm热膨胀系数（CTE）匹配衬底开发出高性能增强型p-GaN功率...

2018-04-24 阅读(226)

英国公司推出X波段200W和400W氮化镓功率放大器 英国高性能微波功率放大器公司Diamond Microwave近日宣布推出一系列小型微波GaN基脉冲固态功率放大器（SSPA），...