图1 比较栅极电阻及eGaN FET尺寸的样例
独立或合一栅极电阻器？
在并联多个eGaN FET时,跟并联传统MOSFET器件一样,设计工程师可能觉得为每一个eGaN FET选择独立栅极电阻器是可行的。但这将大大增加栅极环路的电感(LG),所得的解决方案将具非常低的dv/dt及d/idt抗扰能力。图1显示了在一个并联设计里,eGaN FET跟两个栅极电阻器的尺寸的比较。我们可以看到,因为尺寸的限制,增加电阻器的数量以实现每个栅极具独立电阻器是不切实际的。
独立或合一栅极电阻器？
在并联多个eGaN FET时,跟并联传统MOSFET器件一样,设计工程师可能觉得为每一个eGaN FET选择独立栅极电阻器是可行的。但这将大大增加栅极环路的电感(LG),所得的解决方案将具非常低的dv/dt及d/idt抗扰能力。图1显示了在一个并联设计里,eGaN FET跟两个栅极电阻器的尺寸的比较。我们可以看到,因为尺寸的限制,增加电阻器的数量以实现每个栅极具独立电阻器是不切实际的。