GAN HEMT是什么?

GAN HEMT
  CaN微波功率器件主要是指AIGAN/GaN异质结高电子迁移率晶体管,简称GAN HEMT。尽管这种器件的制造工艺目前还远不如碳化硅 MESFET成熟,但其器件性能远非碳化硅 MESFET可比。HEMT是在能够形成二维电子气(2DEG)的异质结上用类似于MESFET的工艺制成的一种场效应晶体管,因此也称为异质结场效应晶体管(HFET)。这种器件在工作原理上不同于MESFET和MOSFET的主要之点是:其源-漏间的导电沟道是器件结构中自然形成的2DEG,而不是像 MESFET那样的掺杂薄层或 MOSFET那样的场致反型层,栅压UG的作用是改变2DEG的电子密度,从而控制器件的工作状态。AIGAN/GaN异质结因极化效应很容易在AIGaN势垒层中自然形成2DEG,是理想的HEMT器件。
 
  HEMT从本质上说只容易做成耗尽(常开)型,因其UG=0V时,已有2DEG存在。施加正栅压使2DEG中电子密度升高,电阻减小;施加负栅压使其电子密度下降,负栅压升高到一定水平时沟道即被夹断,因而其阈值电压为负值(典型值为-4V)。增强(常关)型HEMT是靠特殊工艺将阈值电压变成正值来实现的,稍后将结合实例加以说明。
 
  GAN HEMT之所以能够成为大功率微波器件,一方面得益于氮化镓的临界雪崩击穿电场高(5倍于砷化镓),另一方面则得益于 AIGAN/GaN异质结2DEG在UG=0V时的电子面密度高和迁移率高。固定温度下, AIGAN/GaN异质结2DEG零栅压下的电子面密度和迁移率主要决定于AIxCAI-xN的厚度和AI的组分比x,当然也与两种材料的结晶品质、因而也与使用什么衬底有关。使用蓝宝石衬底者,其2DEG的室温迁移率一般在800~1500cm2/V·s范围,而使用碳化硅衬底者则可提高到1000~2000cm2/V·s范围。室温下,未掺杂 AIGAN/GaN异质结2DEG零栅压下的电子面密度一般可超过1013/cm2。应用于 Gan HEMT的AIxCAI-xN势垒层的厚度一般在20~30nm范围,组分比x大致为0.15~0.35。

相关阅读