eGaN FET的平面栅格阵列(LGA)封装与传统MOSFET封装大不相同。LGA封装有助推动新的版图设计及显著减少并联器件之间的寄生电感。相比MOSFET,由于eGaN FET的开关速度非常快,并具有低栅极阈值电压,因此以上的优势对实现最佳并联器件解决方案是非常重要的。尽管eGaN FET的封装和器件具有很大的优势,设计师仍需要注意该转换器设计的版图。
图1的五个半桥拓扑,其中每个开关都有并联多达四个器件。图2显示了测试设置的框图来评估每个设计版图的效率。
图1 测试版图设计的有效性。
图2 每一个版图设计的并联评估测试板的框图。
表1总结了各个设计的主要差异。表1中使用的栅极结构的定义见图3。
表1 在版图分析中所评估的五个设计的关键属性。
图3 评估设计中所使用的各种栅极连接的结构。
经过对五个设计的分析与测量得出的栅极和源极电感值见表2。
*较大值是每对器件之间的电感,较小值是从栅极驱动器看到的总电感。
+较大值是每对器件之间的电感,较小值是一对器件之间的电感。
表2 经过评估的五个版图设计,每一个设计的栅极和源极电感。