技术前瞻

2019-09-23 阅读(434)

为了研究AlGaN/GaN/AlGaN双异质结样品的功率特性，我们使用Maury公司的负载牵引(Load-pull)系统对器件进行功率特性测试。测试样品为SiC衬底上双异质结HEMTs器件...

2019-09-20 阅读(447)

GaN基HEMTs器件由于其优越的性能非常适合于应用在各种极端环境中，如高温、高压、高辐射等，虽然其各方面性能已经得到了很大程度的提高，但是GaNHEMT...

2019-09-16 阅读(577)

1 . 漏源击穿 GaN材料的击穿场强达到了~3.5MV/cm，使其能更好地应用于高功率开关器件，但是开态传导损耗和关态击穿电压却限制了GaN基HEMTs器件的功率开关特...

2019-09-11 阅读(677)

本文试验中AlGaN/GaN常规器件和双异质结器件的输出和转移特性是使用Agilent1500A半导体参数分析仪测得，DIBL特性使用HP4156B半导体参数分析仪测试得到，器件...

2019-09-09 阅读(452)

1. AlGaN/GaN HEMTs关键工艺技术 与其它场效应管、晶体三极管等器件不同，HEMTs器件制造工艺更为简单。除了在每步工艺之前有表面清洗和处理等工艺之外，...

2019-09-06 阅读(308)

GaN基双异质结的高低温电子输运特性对于研究其材料特性具有重要作用，而且器件一般工作在较高的温度下，而近年来几乎没有关于双异质结的变温霍尔效...

2019-09-04 阅读(268)

1 . AlN插入层结构 在常规AlGaN/GaN异质结构中，为了提高功率密度，就应该提高2DEG面密度和迁移率的乘积。增加势垒层Al组分能够增大面密度，但是由于三元...

2019-09-02 阅读(295)

1 . 沟道层厚度优化结构 理论上，由于载流子限域性的提高，双异质结构2DEG的迁移率会高于单异质结构。但是由于各种因素的影响，实验结果并不是如此，...

2019-08-30 阅读(711)

1 . 双层缓冲层结构 处于底层的缓冲层的结晶质量在很大程度上反映了异质结外延材料的结晶质量，缓冲层中的位错会在后续的生长过程中继续向上延伸，...

2019-08-28 阅读(428)

常规AlGaN/GaN异质结构界面处形成近似三角形的势阱，沟道下方的势垒较低，势阱中2DEG由于较差的限域性容易溢出到GaN缓冲层，造成缓冲层漏电较大，影响器...