技术前瞻

2020-06-10 阅读(16198)

1. GaN的晶体结构 到目前为止我们已知的GaN有三种晶体结构，它们分别为纤锌矿（Wurtzite）、闪锌矿（Zincblende）和岩盐矿（Rocksalt）。通常的情况下纤锌矿是...

2020-06-02 阅读(688)

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件有着较SiLDMOS更高的击穿电压以及更好的频率特性，具备高压、高频以及大功率应用的性能优势，在通信、雷达探测...

2020-05-25 阅读(860)

GaN HEMTs具有功率密度大、电子迁移率高、 耐高温等优势，正被广泛应用于微波毫米波通信与雷达系统中。为进一步提高GaN HEMTs的功率密度，在器件中引入各...

2020-05-13 阅读(686)

Si基GaN（GaN-on-Si）平面器件工艺是GaN电力电子产业化制备的主流工艺。其主要优势在于能有效利用现有Si-CMOS工艺以降低制造成本，且工艺成本会随着GaN-on...

2020-04-30 阅读(672)

GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平...

2019-12-30 阅读(574)

在功率系统的应用中，很多时候负载属于感性负载（例如电机），另外系统中也不可避免的会存在寄生电感。这些感性元件能够对功率系统中的电磁能进行...

2019-12-27 阅读(354)

为了验证SFG-FET器件的功能，本文利用Sentaurus仿真软件对SFG-FET进行器件建模并对其直流特性进行仿真。在仿真中，SFG-FET的异质结Al0.3Ga0.7N(20nm)/GaN(2m)器件建立...

2019-12-13 阅读(640)

浅场板集成栅对隧穿势垒的调制并不是像SG-TFET一样，从2DEG到肖特基源极之间势垒的整体调制，而仅仅是部分势垒调制，其结构如图1所示。 图1 GaN-on-Silic...

2019-12-09 阅读(597)

本文所提出的浅场板集成栅技术在工艺上实现的难点即快速地形成表面形貌优良的凹槽。此问题最好的解决方式即对现有的干法刻蚀方法进行设计与优化，...

2019-11-22 阅读(392)

1 . SG-TFET结构与制备工艺 如图1所示，一般地，SG-TFET器件主要由AlGaN/GaN晶圆、欧姆漏极、肖特基源极栅极以及介质构成。与传统AlGaN/GaN异质结横向MISFET器件...