图1 不同SFG深度下SFG-FET反向续流特性
而本文所提出的SG-TFET则自然地集成了反向续流功能。当器件截止时，整个器件可以等效地看做一个具有浅场板的肖特基势垒二极管。这个二极管的阳极即是肖特基源极而阴极即漏极。当阳极施加高压时，器件作为SBD进行导通，其电流电压关系如图1所示。由于浅场板集成栅对下方沟道的影响十分微弱，在一定范围内SFG的深度对反向续流能力影响很小，这对于批量生产SFG-FET器件的稳定性有重要意义。图2所示的是不同源极金属功函数下SFG-FET的反向续流特性，这与传统的SBD特性相近。
图2 不同源极金属功函数的SFG-FET反向续流特性