氮化镓MOS

2019-11-29 阅读(1204)

凹槽栅技术并未广泛应用于增强型MISFET商业产品，这主要是因为其工艺中凹槽速度和精确度不能很好地兼顾；其次，凹槽栅技术对凹槽后材料表面质量的严...

2019-11-15 阅读(952)

近期，香港科技大学LiYuan等人提出了一种金属2DEG结隧穿式增强型MISFET，其结构如图1所示。通过栅极电压对金属2DEG结势垒高度的调制，实现电子从源极的隧...

2019-11-12 阅读(477)

1 . 凹槽栅技术 凹槽栅技术是薄势垒技术的合理优化。通过干法、湿法等方法的局部刻蚀，使异质结势垒层在栅极下方的区域适当减薄，这样就实现了增强...

2019-11-08 阅读(516)

从整体薄势垒技术到局域势垒技术，用调制能带实现增强型的方法劣势越来越小而优势越来越明显。考虑到外延局域p型帽层与局域极化抵消层的思路带来的...

2019-11-05 阅读(560)

一般地，除了现在被采用并商业化的Cascode技术外，从器件结构的角度考虑，实现GaN异质结MISFET增强型性能的技术关键是使异质结界面处的2DEG浓度在自然状...

2019-10-23 阅读(1102)

Boost PFC已经广泛应用于有源功率因数校正技术。变换器为实现高功率密度、快速响应等要求，必须工作在高开关频率。对于硬开关Boost，开关频率的增加，...

2019-10-21 阅读(2964)

考虑到氮化镓晶体管的特性，为了发挥其高频应用优势，对其驱动电路的研究是一项重要的工作。氮化镓的高频驱动电路首先需要极窄的驱动电压范围，驱...

2019-10-16 阅读(525)

随着载人航天、深空探测等前沿技术的发展，未来航天器的功能越来越强大，任务越来越复杂，对动力系统的设计要求也不断提高，轻质化和高功率密度一...

2019-10-11 阅读(1098)

1. AlGaN/GaN异质结上GaN MOSFET工艺实现 虽然设计了离子注入与AlGaN/GaN异质结工艺可以兼容的版图。然而在实际实验过程中，考虑到工艺的可行性与性价比，本...

2019-10-08 阅读(1292)

GaN MOSFET中的源漏有源区及欧姆接触可以用离子注入工艺实现，也可以用AlGaN/GaN异质结上的欧姆接触代替。因此，本文采用Tanner EDA提供的L-Edit软件设计了可...