由碳化硅电力设备市场驱动，n型碳化硅基板市场预计到2020年将以21%的复合年增长率（CAGR）从2014年的0.35亿美元成长至1.1亿美元。
上图为2020年n型碳化硅基板市场规模（单位：百万美元），左下角显示的是碳化硅晶片市场规模 市场首选的电力电子应用产品中使用的仍然是4英寸晶圆。然而，许多的供应商可以提供高质的6英寸晶圆，用于电力设备中。8英寸碳化硅晶圆由族化合物（II-VI Inc）公司于2015年年中展示。
据悉，6英寸晶圆的平均价格是4英寸晶圆平均价格的2.25倍，6英寸晶圆的价格在2015年年底和2016年年初将会下滑并低于阀值。当然，实现向6英寸晶圆的转换其实只是一个开始。碳化硅器件制造商Rohm刚刚宣布2015年第三季度已经开始实现6英寸晶圆的批量生产。
据Yole称，n型碳化硅SiC基板市场的领先企业排名已经趋于稳定。科锐仍然是市场领导者，道康宁、SiCrystal以及族化合物公司紧随其后。目前有四家中国碳化硅供应商，他们当前宣布的晶片年产能为15万片，预计未来还会有所增长。与此同时，Yole预计像年初北京展示n型6英寸晶片的TankeBlue半导体等中国企业将成为市场挑战的强劲对手。
硅基氮化镓晶片开放市场群雄角逐，谁将笑到最后？
Yole指出，硅基氮化镓（GaN-on-silicon）技术是极富挑战的，因为氮化镓GaN和硅之间的大晶格常数和热膨胀系数（CTE）不匹配。硅基氮化镓的主要问题已经得到解决，许多公司开始实现基于此技术的电力设备的商用。受到设备市场潜力的吸引，不同商家在硅基氮化镓晶片开放市场开始活跃，并思考向其他的设备企业销售其晶片，这些企业包括：
硅基板供应商纷纷想要爬到价值链顶端，如Siltronic等；
处在价值链的底端的Episil等设备晶圆代工厂；
一些LED芯片供应商，如中国的三安光电；
大的外延片工厂，如IQE；
Epigan和其他的纯氮化镓外延片工厂。
氮化镓GaN晶片生产现状大放送
Yole提到，几乎所有的商业化氮化镓是通过氢化物气相外延法（HVPE）生产的，主要应用在光电应用领域。然而，HVPE氮化镓基板超高的错位密度会限制电力开关的使用。
氨热增长预计随着日本三菱化学和美国LED厂商Soraa研制的新的酸性氨热方法的出现而更具竞争力。电力电子设备Na-flux LPE的增长前途一片光明，市场研究公司补充说。
氮化镓晶片巨大市场由日本公司主导，住友电气（Sumitomo Electric）、三菱化工（Mitsubishi Chemical）和日立金属（Hitachi Metals）引领HVPE生产。三菱化工正积极研制氨热增长，而NGK研制Na-flux增长。除日本以外的其他国家目前尚处在小批量生产和研发阶段，其中大多数的企业正在研发面向LED市场的HVPE方法。如果电力电子应用市场采取氮化镓基板（GaN-on-GaN）技术，日本企业将独占鳌头。