氮化镓功率器件
氮化镓功率器件应用技术前瞻,氮化镓功率器件特性,氮化镓功率器件国内外大厂动向相关文章。
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与Si相比,GaN材料接近三倍于Si材料的禁带宽度,使得GaN材料的理论临界击穿电场大于Si理论的十倍,加上自身拥有很强的自发极化与压电极化效应使得AlG...
从1993年第一只AlGaN/GaNHEMT诞生以来,经过20多年的不断研究,AlGaN/GaN HEMT在不论是从工艺成熟度,稳定性还是成本上的考虑来看,成为GaN基器件上的主流。...
网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件,这使得市场对于射频氮化镓(GaN)器件的需求不断升温。 举个例子,现在的无线...
由于表面效应、缺陷及杂质等的影响,陷阱电荷广泛存在于GaNHEMT中,引起漏极电流崩塌。尽管SiC基板与GaN的晶格失配率只有约3.5%,但在GaN层仍能形成大量的缺...
当 GaNHEMT在较大漏极偏压下工作时,沟道电场特别是栅极漏侧电场峰产生的热电子会发射大量纵向光学(LO)声子对晶格升温,LO声子可以被其他电子重吸收,或者...
半导体器件的动态特性对于高频、大信号器件(如功率放大器、混频器、振荡器及高速数字电路等)有着重要影响,因此深刻地认识该动态行为是理解器件特性...
与 GaAs HEMT器件工作原理类似, GaNHEMT在禁带宽度更大的 AlGaN层与禁带宽度稍小的GaN层之间形成了异质结,其能带图如图1所示。为了达到热平衡,电子从 AIGaN材料...
提高 GaNHEMT器件的工作电压是提升器件微波功率特性的有效途径,而提高器件的击穿电压是提高器件工作电压的前提。提高 GaNHEMT器件击穿电压的一个重要措...
GaNHEMT器件的电流崩塌现象严重限制了器件的高频大功率性能,是氮化物FET器件中普遍存在的问题。电流崩塌可描述为当器件在高频工作时的工作电流小于其...
GaN HEMT器件制作中的第一步是欧姆接触的制作,通过欧姆接触的制作形成器件的源电极和漏电极。要保证器件具有优异的性能首先就要获得优良的欧姆接触...