在耐压领域，普通AlGaN/GaN HEMT在承受耐压时，由于栅极和漏极之间沟道二维电子气不能够完全耗尽，使得沟道横向电场主要集中在栅极漏端边缘，导致器件在较低的漏极电压下便被击穿。同时在器件工作在关态时，从源极注入的电子绕过栅下耗尽区，通过非故意掺杂的GaN缓冲层泄漏到漏极，这种现象被称为punch through，将会使器件提前击穿，无法充分发挥GaN材料的高耐压优势，从而限制AlGaN/GaN HEMT在高耐压领域的应用。同时，提高器件的击穿电压（BV）和降低器件的导通电阻（RON），存在一个折中的关系，如何在提升BV的同时保持一个尽可能低的RON，是AlGaN/GaN HEMT在耐压领域所面临的难题之一。为了不断提升GaN器件耐压及功率优值，近年来国际上不同研究机构分别通过采用超晶格缓冲层、AlGaN背势垒、缓冲层掺杂、场板结构、离子注入等技术，在耐压领域取得了明显的进展并逐步向商用器件过渡。
2000年，U.KMishra小组首次在AlGaN/GaN HEMT中引入与栅极相连的场板（Field Plate，FP）结构，通过调制沟道电场来提高击穿电压，栅漏间距（Lgd）为13µm，击穿电压为570V，并且对器件直流特性没有影响，其沟道平均击穿电场为0.43MV/cm，远低于理论的3MV/cm。2013年，三菱电机公司报道了采用AlGaN沟道和栅场板的GaN基HEMT，其10µm的Lgd的器件击穿电压达到1700V，平均击穿电场达到1.7MV/cm，为目前报道的最高值，其中AlGaN沟道由于比GaN具有更高的禁带宽度，也是提高耐压的手段之一。
除了场板外，通过减小缓冲层的漏电也是提高击穿电压的方法，主要的方法是在缓冲层掺入C原子，C原子在GaN缓冲层中作为深能级陷阱，能够通过俘获泄漏到缓冲层的电子达到减小缓冲层泄漏电流的效果。2010年，Bahat-Treidel等人采用缓冲层掺C技术在SiC衬底上制作了栅漏间距为7µm的击穿电压938V的AlGaN/GaN HEMT器件，其沟道平均击穿电场强度达到1.34MV/cm。
衬底转移技术也是提高器件耐压的方法之一，2010年，B.Lu等人将Si衬底上生长的AlGaN/GaN HEMT的Si衬底刻蚀掉，将器件转移到高热导率的绝缘衬底上，解决了击穿电压随着Lgd的增长饱和的问题。
同年，B.Lu小组提出在GaN HEMT中以肖特基漏极代替传统的欧姆接触来提高击穿电压，其原理为可能是肖特基漏极的形貌相较于欧姆接触的漏极更平整，消除了传统欧姆接触中金属毛刺所带来的电场尖峰。
2011年，A.Nakajima等人首次报道了带有极化超结（PSJ）的GaN HFET，该结构是在普通AlGaN/GaN HEMT的基础上，在栅极与漏极区域之间再生长一层GaN层，利用GaN/AlGaN/GaN结构中AlGaN上下两个界面天然存在同样大小的正负极化电荷，存在相匹配的二维电子气和二维空穴气，构成类似于Si基器件中的超结结构，当器件工作在截止状态，AlGaN上表面的二维空穴气会被抽走，同时耗尽下方沟道的二维电子气，使沟道源漏区域达到全耗尽的效果，以平整沟道电场，提高击穿电压。该小组制作的PSJ-GaN HFET中二维电子气和二维空穴气面密度分别为1.1×1013cm-2和9.7×1012cm-2，Lgd为10µm的器件击穿电压达到560V。2014年V.Unni报道了利用极化超结理论制作的GaN基肖特基二极管，在25µm的漂移区长度下，击穿电压达到2.4kV，平均击穿场强达到0.96MV/cm。
表1 GaN基HEMT功率器件研究进展
表1整理了最近几年GaN基耐压结构的研究进展，目前平均击穿电场仍远低于GaN材料的理论极限值，可见GaN基功率器件仍有很大发展空间。