图1 AlGaN/InGaN/GaN结构的HEMT
图2对应InGaN厚度分别为10nm、20nm、30nm三种情况下导带情况。比较三幅图可以看出，随着InGaN层厚度的增加，势阱深度会略有减小。
图2 (a)10nmInGaN导带 (b)20nmInGaN导带 (c)30nmInGaN导带
图3对应InGaN厚度分别为10nm、20nm、30nm三种情况下电子浓度，比较电子浓度情况可以看出，随着InGaN厚度的增加，电子浓度会略有减小。
图3 (a)10nmInGaN电子浓度 (b)20nmInGaN电子浓度 (c)30nmInGaN电子浓度
图4a对应InGaN厚度分别为10nm、20nm、30nm情况下输出漏极电流，图中三条输出电流曲线基本重合，说明厚度对输出电流基本没影响。图4b是没有InGaN层和不同InGaN层厚度情况下的输出漏极电流，通过比较没插入InGaN层的情况，可以看出插入窄禁带InGaN层后输出电流大幅减小，而InGaN层本事的厚度对输出特性影响很小，因此窄带隙的材料不利于提高输出特性。
图4 (a)不同InGaN厚度的输出电流 (b)没有InGaN和有InGaN层的电流输出