氮化镓二极管

2018-10-09 阅读(721)

仿真结果的正确性可以用已报告的实验数据来衡量。因此，设器件的结构与图1所示一致，即阳极尺寸为12m，阳极和阴极间距8m，器件的半导体材料部分厚度...

2018-10-08 阅读(322)

选取高势垒和低势垒金属的功函数分别为5.36eV和3eV，即分别对应Pt和Al，其肖特基势垒分别为1.54eV和0.48eV。GaN的背景掺杂取为NDB=510 15 cm -3 ，AlGaN的背景掺杂...

2018-09-29 阅读(249)

基于GaN外延材料的肖特基势垒二极管（SBD）可以耐受很高的反向击穿电压，阳极和阴极间距为8m的管子击穿电压可以达到400V以上。然而，正向导通电压则通...

2018-09-03 阅读(888)

GaN第三代宽禁带半导体材料，因其电子迁移率高、耐高压、耐高温、耐辐射的特点，具有广泛的应用前景。除了在光电领域的应用外，GaN功率器件还应用于...

2018-08-31 阅读(300)

GaN的禁带宽带大，熔点高，可以工作在高温下。本文测试了绝缘栅混合阳极二极管（MG-HAD）在80℃和150℃下的高温特性，并与常温25℃下的特性进行对比。...

2018-08-30 阅读(246)

二极管（功率整流器）作为最基本的单元器件在功率管理系统中有着不可替代的作用。目前主流的GaN基二极管为平面肖特基势垒二极管（SBD）。SBD因肖特基...

2018-06-15 阅读(327)

由于很难得到大尺寸的GaN单晶材料,目前,GaN器件通常采用蓝宝石作为衬底,通过异质外延的方法制作。但是蓝宝石作为发光二极管(LED衬底存在以下缺点:存在...

2018-04-18 阅读(1309)

半导体器件是集成电路的基础，就目前而言，器件的模拟仿真对新结构器件的研究有重要意义。器件仿真是指通过设定器件结构和掺杂情况，同时对器件中...

2018-03-22 阅读(305)

氮化镓具有的直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好、抗辐射能力强、具有较高的内、外量子效率、发光效率高、高强度和硬度(其抗磨力接近于...

2018-03-22 阅读(381)

随着信息时代的来临，以砷化镓为代表的第二代化合物半导体材料显示了其巨大的优越性，而以氮化物（包括Sic、ZnO等宽禁带半导体）为第三代半导体材料...