氮化镓二极管

2018-11-09 阅读(450)

在半导体表面，高密度表面态的存在使半导体表面费米能级产生钉扎效应，使肖特基接触质量下降，进而影响器件性能。本文主要讨论AlGaN/GaN SBD的表面态计...

2018-11-08 阅读(424)

肖特基接触电极是AlGaN/GaN SBD中最为关键的工艺，它的质量直接影响到器件的各个重要性能的指标，如反向击穿电压和反向漏电流。目前AlGaN表面肖特基接触...

2018-11-07 阅读(496)

表面处理对AlGaN/GaN SBD形成良好的欧姆接触有很重要的影响，为此，我们设计了一组对比实验，选用三种不同溶液对AlGaN表面进行处理，用TLM方法测量c，并结...

2018-11-06 阅读(584)

1 . 传输线模型 在氮化镓SBD中，高质量的欧姆接触是影响器件性能的关键之一。比接触电阻率c（SpecificContactResistivity）是衡量欧姆接触质量的重要参数，它...

2018-11-05 阅读(1529)

1. AlGaN/ GaN SBD 基本结构 图1AlGaN/GaN SBD结构示意图 如图1(a)所示，最基本的AlGaN/GaN SBD器件的外延材料结构与器件结构。外延结构包括：衬底（目前常用的有蓝...

2018-11-02 阅读(361)

在AlGaN/GaN SBD中，高质量的欧姆接触是影响器件性能的关键之一。如何使接触电阻小，电极边缘轮廓清晰及稳定可靠，是制作欧姆接触的主要问题。目前Al...

2018-11-01 阅读(507)

1999年，Bandic等人发表了关于GaN基SBD的研究论文，论文中研究了器件的基本结构，以及SiO2场板结构对器件性能的影响，并报到了-250～-450V的反向击穿电压，...

2018-10-12 阅读(264)

上一文中的AlGaN/GaN FESBD的阳极中部低势垒金属Al的宽度为2m，外侧高势垒金属Pt横向总宽度为10m，若假设阳极沿与纸面垂直方向的尺寸对两种金属相同，则...

2018-10-11 阅读(286)

将SBD的阳极采用一种金属包住另一种肖特基势垒高度不同的金属来制备，可以有低势垒包围高势垒和高势垒包围低势垒两种方式。尽管实验报道中采用了高...

2018-10-10 阅读(555)

对于采用AlGaN/GaN异质结制备的SBD（器件结构如图1所示），其反向击穿电压并非仅由掺杂浓度决定。在肖特基势垒高度不变的前提下，还有一个重要的因素影...