1. 正向温度特性测试与分析
如图1为Ld=5µm下的MG-HAD正向温度特性，测试温度为常温25℃、80℃和150℃。随着温度的升高，器件的正向工作电流降低。在正向电压为2V时，80℃和150℃下的正向工作电流分别为182mA/mm和117mA/mm。
图1 MG-HAD的正向温度特性，其中Ld=5µm
由于温度的升高，器件的正向工作电流的降低，故器件的工作电压和比导通电阻都随着温度的升高而增大。不同温度下，器件的工作电压与比导通电阻的测试结果如图2所示。
图2 MG-HAD的工作电压VF和比导通电阻Ron,sp随温度的变化曲线
从图2中可以看出，在温度为25℃、80℃和150℃下，器件的工作电压VF（正向电流达到100mA/mm时的电压值）分别为1.3V、1.45V和1.9V，与常温25℃相比，150℃下的VF增加了46%；在温度为25℃、80℃和150℃下，器件的比导通电阻Ron,sp分别为0.6mΩ·cm2、0.83mΩ·cm2和1.13mΩ·cm2，涨幅达88%。从图中还可以看出随着温度升高，器件工作电压与比导通电阻具有较好的一致增加。器件正向特性的退化是由于温度的升高，电离杂质散射作用减弱，晶格振动散射增强，使沟道中电子的迁移率下降；同时温度上升，沟道对电子的限域性也会减弱。
2. 反向温度特性测试与分析
测试Ld=10µm和20µm的MG-HAD在不同温度下的反向特性，测试结果如图3所示。从图3可以看到，80℃下器件的反向特性与25℃时相差无几。Ld=20µm时器件在80℃下的反向击穿电压可达1000V，150℃下器件的反向漏电仍然可以被很好抑制，其值低于10µA/mm。150℃下，Ld=10µm和20µm时器件击穿电压分别为541V和616V。
图3 MG-HAD 的反向温度特性（a）Ld=10µm；（b）Ld=20µm
图4 不同Ld下MG-HAD的反向耐压随温度的变化曲线
图4为不同Ld下MG-HAD的反向耐压随温度的变化曲线，由图可知，直到150℃，MG-HAD都具有适中的温度依赖特性。这表明该具有混合阳极结构的新型HFET器件能够有效的抑制高温下的漏电，而具有传统的肖特基阳极的GaN基二极管在高温下的漏电严重。