氮化镓二极管

2019-05-20 阅读(337)

美国研究出硅基垂直肖特基和pn氮化镓二极管，性能可与在其他成本较高的衬底上生产的器件相比肩。来自麻省理工大学的研究者将研究的重点放在降低不...

2019-03-29 阅读(201)

Notre Dame大学的研究者们称，硅基侧向AlGaN/GaN肖特基势垒二极管可实现行业内最高1.9kV的击穿电压。 研究者称：本次实验获得的击穿电压是在已报道的硅基氮...

2019-01-14 阅读(296)

在太赫兹领域的氮化镓材料和耿氏器件结构的理论研究和仿真模拟工作已经有近十年的研究，而实际器件制造工艺研究还是近两三年的事情，这是因为氮化...

2019-01-11 阅读(291)

氮化镓和砷化镓的基本材料性质（主要用于设计使用方便） 表1氮化镓和砷化镓材料的基本材料参数 1)传统N + GaN/N - GaN/N + GaN结构设计 图1传统N+ GaN/N- GaN/N...

2019-01-09 阅读(391)

除了表面处理可以改善肖特基接触的特性外，肖特基接触形成后进行一定的热退火也可以改善肖特基接触的性能。为了研究热退火对肖特基接触的影响，在...

2019-01-07 阅读(400)

1 .GaN/PEDOT:PSS肖特基二极管的基本结构 本文中，GaN/PEDOT:PSS肖特基二极管的基本结构如图1所示，材料从下到上依次为：蓝宝石衬底；100nm的缓冲层AlN；2mSi掺杂...

2019-01-02 阅读(1046)

高频、高效、高功率密度仍是电力电子器件发展的主流方向。相较于传统的硅器件，GaN器件以其高开关速度和低导通电阻，更适用于髙频、高效、高功率密...

2018-12-07 阅读(347)

1. 氮化镓耿氏二极管最大输出功率计算 氮化镓材料同时具有相对比较大的电子跃迁阈值电场（250KV/cm）和相对比较高击穿电场（3MV/cm），因此氮化镓耿氏器...

2018-12-06 阅读(340)

在耿氏效应中，材料中的载流子必须积累到一定的能量，才能从其主能谷跃迁到其卫星能谷中。如果是通过外加电场给载流子提供能量，那么载流子就必须...

2018-12-05 阅读(466)

目前首先应用于太赫兹领域的半导体功率电子器件以负阻器件为主，比如基于砷化镓和磷化铟材料的耿氏二极管、肖特基二极管和崩越二极管等，但是由它...