氮化镓功率器件

2020-09-07 阅读(765)

1. 表面化学清洗 化学清洗是常用的半导体器件表面处理方法，有机试剂可以去除器件表面的油脂等有机物污渍，而酸、碱溶液则可以去除表面氧化层等无机...

2020-08-31 阅读(758)

半导体技术中，介质/半导体界面处理一般可以分为两种情况。一种情况基于Si材料技术，由于Si表面很容易形成稳定的SiO2自然氧化层，SiO2介质也可以有效阻...

2020-08-24 阅读(587)

栅绝缘层工艺是GaN基MIS-HEMT器件研制的关键技术。由于制备工艺成熟、绝缘性能好、物理和化学性质稳定等优点，以Al2O3和HfO2为代表的氧化物介质是最常用...

2020-08-05 阅读(509)

T/R组件是构成有源相控阵雷达天线的基础，它的体积、重量、性能、可靠性等指标直接影响整体性能。基于氮化镓功率放大芯片的T/R组件在体积、性能、热...

2020-07-27 阅读(536)

由于较大的禁带宽度、光吸收系数及高热稳定性等优越的材料特性，Ⅲ族氮化物半导体，如氮化镓（GaN），非常适合制备高性能的紫外探测器。GaN基紫外探...

2019-10-28 阅读(746)

以凹槽栅增强型MISFET为例，一般来说，当前主流的AlGaN/GaN异质结MISFET的制备工艺流程如图1所示。首先，对异质结晶圆进行清洗与隔离；其次，制备欧姆接触...

2019-08-26 阅读(836)

无线通信系统中，为了解决频谱利用率和信息的传输速率问题，信号普遍采用了高阶的调制方式，如正交频分复用（OFDM）等，这些高效率的调制方式普遍具...

2019-08-14 阅读(1670)

有科研团队在AIGaN/GaN HEMT上增加了一个二极管来制造低成本、高性能的常关型HEMT。 这种器件是GaN基HEMT的一种新形式。由于HEMT结合了高速开关和极高击穿电...

2019-03-25 阅读(1302)

以半导体材料作为基础可制成各种各样的器件，1990年代之前，以硅为代表的第一代半导体材料占据统治地位。但随着信息时代的来临，特别是对高压、高温...

2019-03-04 阅读(1292)

1. 高质量钝化层生长工艺 绝缘材料广泛应用于不同材料之间的层间电隔离，高质量的绝缘膜制备是半导体工艺中很重要的工艺步驟。在AlGaN/GaN HEMT器件中，...