图1 一种GaN-SiC混装半桥模块的封装结构示意图
由于AuSn焊料的熔点只有278℃，将其用在小电流SBD上虽然没有什么问题，但若用在主器件上就不那么可靠了，因为按50W耗散功率计算的主器件结温升将达到68K，在225℃的高温工作环境下其结温将超过300℃，AuSn焊料必然经受不了。因此需要先用熔点较高的焊料，例如熔点为363℃的AuSi将HEMT焊在GaN衬底上，然后再用AuSn焊料将其固定在CuW基板上。
这些封装措施保证了碳化硅器件和氮化镓器件高温优势的发挥，其225℃下的开关特性与室温相比几乎没有什么变化，而硅模块的温度根本不可能超过200℃。当然，这个报道中的225℃事实上还是因封装材料的限制而产生的，并不是器件本身的高温限度。