正如IEEE Fellow Kei May Lau所看到的，传统LED的问题在于：它属于电流控制，能迅速将设备打开或关闭以控制亮度，或用它们来实现Li-Fi需要认真斟酌的同时也会有繁杂的电路设计。
Lau说：“大多数IC设计人员宁愿使用电压控制设备，但LED是电流控制设备。”对于他们来说，LED高电流和低电压要求的结合让设计驱动程序变得麻烦。
因此，她和她的学生们发明了一种装置，即HEMT-LED，这使得它更便捷。HEMT-LED有点像一个发光晶体管，让你控制光发射开关以及通过电压信号控制亮度。
由氮化镓制成的HEMT-LED将一个高电子迁移率晶体管(HEMT)和一个非常紧密的LED集成为一个简易的设备。
HEMTs能够快速切换，因为它们通过一种叫做二维电子气体的超薄、高电导层来限制电流流动。在HEMT LED中，LED成为晶体管结构的一部分。电流流过设备的LED部分，然后进入电子-气体层。
简单地连接一个HEMT和LED就不会产生同样的结果。同时，也不会将氮化镓发光二极管与硅CMOS晶体管结合在一起。本月在IEEE Electron Device Letters报告的结果中，Lau的团队将其HEMT-LEDs与后一种系统进行了比较，发现它可以更快地转换5兆赫兹，尽管它驱动的发光区域比原来扩大了200倍。(大型设备添加电容；电容放缓信号。)
HEMT-LED是一种通过电压信号控制光发射的三端设备。该器件在控制电流的同时，能够实现快速切换是其关键特性之一。在HEMT LED上修改500 Hz信号的电压脉冲宽度，使LED可以从100％的光输出调光到0.1％，而LED不会改变颜色，但是如果电流控制不当，可能会发生颜色变化。以前只能通过相当复杂的电路来实现这种广泛的强度。但是对于HEMT-LED来说，调光功能是该设备的固有特性。这种光滑，快速的调光可能对家庭照明来说是过度的，但这对于获得LED背光液晶显示屏的良好对比度至关重要。
Lau指出该设备可见光通信的潜力。她的团队以每秒16兆以上的速度测量了HEMT-LED传输。但是，它是否可以用于Li-Fi，通过车头灯的车对车通信，或者其他方面，则需要进一步调查。她指出，需要权衡信号的传播距离有多远。更长的距离需要更亮的LED，但更大的LED开关速度更慢，从而降低数据速率。
她的实验室一直致力于制造更小型的HEMT-LED阵列，希望将其纳入micro LED显示器中。 这些仍在发展中的显示器正在由苹果和Facebook等科技巨头和Aledia等公司进行。