其中，源漏电极欧姆接触采用高性能欧姆接触工艺；栅凹槽刻蚀采用两步刻蚀法工艺。表1所示为凹槽栅增强型AlGaN/GaN HFET功率器件完整的工艺流程。
表1 凹槽栅增强型AlGaN/GaN HFET工艺流程
1、标记。该步骤并非必要步骤，因源漏金属退火后出现尺寸增大的现象，为降低光刻难度，可选择首先在光刻后磁控溅射一层100nm厚的钨金属，经剥离后形成标记图形。
2、源漏金属淀积。利用上道工艺形成的标记图形进行光刻对位，可选用电子束蒸发或磁控溅射Ti/Al/Ni/Au金属组合，淀积后进行剥离形成源漏金属。
3、高温退火形成欧姆接触。使用快速退火炉进行纯氮气环境下的高温快速热退火形成欧姆接触。
4、器件隔离。对于AlGaN/GaN功率器件而言，因器件需要工作在高耐压下，因此隔离工艺较为关键。本文主要采用台面隔离工艺，台面高度为300~400nm。
5、淀积钝化层并开孔。本文主要采用PECVD淀积SiO2或ICPCVD慢速工艺淀积SiNx。两种钝化层均有较好的绝缘特性，同时可降低AlGaN层表面的表面态和表面陷阱。通过反应离子刻蚀机使用CF4和SF6等离子对栅凹槽处和源漏金属处钝化层进行开孔。以便于后续的栅槽刻蚀工艺和金属布线工艺。
6、栅凹槽刻蚀。对凹槽栅增强型器件而言，栅凹槽刻蚀工艺会直接影响器件性能，因此十分重要。使用钝化层作为掩膜，两步刻蚀法工艺，精确控制刻蚀深度至凹槽区域2-DEG被完全耗尽。
7、栅介质淀积。通过原子层淀积工艺，使用Al(CH3)3和去离子水作为Al源前驱体和O源前驱体，进行Al2O3介质层淀积。栅介质厚度为15~20nm，根据实验要求进行调整。
8、栅金属淀积。可选用电子束蒸发或磁控溅射Ni/Au金属组合。Ni为肖特基金属，且粘附性较好；Au用以降低栅极电阻并防止Ni被氧化。
9、金属布线。可选用电子束蒸发或磁控溅射Ti/Au金属组合。因Ni金属较脆，大面积淀积容易出现卷曲现象，故使用粘附性最好的Ti来做器件电极pad并完成器件外围布线。Au同样用以降低金属电阻并防止Ti被氧化。
10、淀积钝化层并开孔。本次钝化主要是为完成器件栅极和源极的金属跨线，并对有源区进行有效保护。
11、加厚金属淀积。功率器件一般需承载大电流，若不进行金属加厚，器件会在大电流下烧毁。加厚金属一般有电镀和电子束蒸发两种方法。电镀的优点是效率高，但厚度不易控制，并需要先溅射一层起镀层，进行两次光刻。电子束蒸发虽然效率略低（3µm需要2个小时），但厚度精确，只需一次光刻。本文实验选用电子束蒸发Ti(20nm)/Al(3000nm)/Au(20nm)。20nm的Ti用以增加金属粘附性，防止脱落；3000nmAl为加厚金属，因Al成本较低且电阻较低；20nm的Au目的是保护Al防止被氧化。
12、后道工艺。主要包括后续的衬底减薄和划片封装。
针对功率器件应用的实际需求，可对上述流程中具体工艺细节进行适当的调整。