氮化镓功率器件

2021-09-24 阅读(843)

最近，AlGaN/GaN肖特基二极管（SBD）受到了越来越多的关注。该器件具有关断速度快、击穿电压高导通电阻小等特点，因而被业界广泛地认为是下一代功率器...

2021-09-14 阅读(851)

绝缘栅HEMT器件中除了存在界面态外，栅绝缘层还会在界面引入固定电荷和体电荷，研究表明栅绝缘层与氮化物势垒层之间界面固定电荷密度可以高达10 13...

2020-11-03 阅读(1628)

1. 栅漏电分析 关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三种...

2020-10-27 阅读(1589)

1 . 器件结构与工艺 绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示，AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核...

2020-10-21 阅读(995)

电流崩塌和关态栅漏电一样，是制约GaN基HEMT器件发展的非常重要的因素之一，一方面表现为，在脉冲测试条件下漏极输出电流与直流特性相比大幅减小；另...

2020-10-14 阅读(557)

1. 样品制备 PEALD沉积ALN栅绝缘层对沟道2DEG特性有很大影响，所以本文对其进行了更深入地分析。采用蓝宝石衬底上的AlGaN/Gan外延材料，经过表面有机化学清...

2020-10-08 阅读(664)

在前面研究了等离子体表面预处理工艺对GaN基MOS异质结构界面特性的影响，采用NH3/N2混合气氛等离子体界面预处理有效移除了氮化物表面氧化层，减少了绝...

2020-09-28 阅读(834)

1. 湿法处理对2DEG特性的影响 化学溶液清洗是常用的半导体表面处理工艺，本研究在常规丙酮、乙醇清洗后，采用酸性或碱性溶液去除氮化物表面氧化层等...

2020-09-21 阅读(546)

1. 光学性质研究 光学方法是研究薄膜材料特性的重要手段，具有无损伤、精度高等优点。光与薄膜材料的相互作用主要包括光吸收、光电导、发光效应等，...

2020-09-14 阅读(501)

高质量栅绝缘层材料沉积工艺是GaN基MIS-HEMT器件研制的关键技术，影响PEALD沉积AIN薄膜质量的主要因素包括前驱体源选取、工艺配方、射频功率、工艺温度等...