典型的GaN制备工艺步骤：
·衬底清洗:(H2SO4:H2P04=3:1)中刻蚀约20min，去离子水冲洗，N2气吹干；
·衬底预热:800℃，暴漏在氨流中5-15min完成氨化；
·缓冲层AlN沉积:衬底温度800℃，铝源温度1070℃，氮源氨气的流量16SCCM；
·生长i-GaN:衬底温度降到700℃，镓源970℃，氨气流量35SCCM(5*E16cm-3)；
·生长隔离层AlGaN:衬底温度800℃，Ga源温度970℃，Al源温度1070℃，氨气9SCCM，它可以阻止施主层掺杂的硅原子扩散进入沟道界面，同时提供N-AlGaN的生长条件；
·生长N-AlGaN:硅源温度1230℃。
GaN HEMT器件的研制包括以下主要工艺步骤：
(1)标准清洗工艺，采用有机、无机溶液清洗去除材料沾染的油脂、颗粒和氧化层，在此过程中可辅助超声清洗的方法，清洗之后在热氮气吹扫下用甩片机甩干。
(3)器件隔离工艺，器件隔离工艺是为了使圆片上的各个器件在电学上相互隔开，互不影响。离子注入能量很高，为保护器件有源区，需要事先淀积一层SiN做保护层，离子注入区由光刻形成，注入离子为B+。
(4)栅工艺，由光刻形成栅条窗口，再由电子束蒸发多层金属，通过剥离来完成栅的制作。
当然，经过多年的技术发展， GaN HEMT器件结构不断改进，目前的GaN HEMT器件工艺远比上述工艺步骤复杂。