技术前瞻

2022-04-01 阅读(528)

第三代半导体器件CaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件...

2021-12-07 阅读(387)

氮化镓材料禁带宽度较大，是宽禁带半导体之一，被广泛用作微波功率晶体管和蓝色光发光器件的生产制造原材料。氮化镓材料的探究与使用是目前全世界...

2021-03-09 阅读(1314)

1. 器件结构与工艺 通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性；但...

2021-01-13 阅读(1184)

C-V测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley4200半导体表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。 1 . C - V曲线及载流子浓...

2020-12-16 阅读(1059)

由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配，自支撑氮化镓衬底在提升氮化镓基器件性能方面有着巨大潜力，如发光二极管，激光二极管，功率器件和射频...

2020-08-17 阅读(1457)

缺乏与GaN晶格匹配且热兼容合适的衬底材料， 是影响GaN器件成熟的困难之一。在选择衬底材料时通常考虑如下一些因素：①尽量采用同一系统的材料作为衬...

2020-08-10 阅读(609)

以氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）为代表的第3代半导体器件已经逐渐取代真空电子管和LDMOS成为雷达等重要通信装备和系统的重要电子器件。大功率...

2020-07-21 阅读(326)

大块氮化镓是一种具有较大能隙(3.4eV)的半导体材料。由于它具有很多独特的物理性质，如光学、电学、磁学等性质，氮化镓材料在太阳能电池、发光二极管...

2020-07-15 阅读(303)

GaN HEMT良好的n型欧姆接触通常在800~900℃的高温合金下，在剧烈的金半合金反应和扩散的过程中，金半界面、金属表面及侧壁的形貌退化严重，对器件的功能...

2020-06-15 阅读(1009)

近年来，随着材料测试技术的不断进步，检测材料形貌、结构以及性能的实验仪器也变得越来越多样化，对本实验所制备的氮化镓纳米材料的表征时，首先...