关于氮化镓高频开关技术方案，电源行业内已是比较成熟的应用，安森美、Transphorm就有基于氮化镓的MOS管推出，并应用于工业电源、UPS等大功率电源中。体积小、PCBA全元件贴片化、高效率、散热优是此类技术的优点。
什么是GaN FET
GaN FET即氮化镓开关管，是氮和镓材质组成的半导体器件，在电源电路设计中，其功能与MOSFET一样做功率变换用，只不过MOSFET主要材料为硅，除此之外，基本体结构上也存大很大的差异，致使两者间的性能也不一样。
GaN FET的优势：
1. 更小的结电容，可以做到更高的开关频率，如500KHz, 1MHz等。
2. 损耗小，效率高。
GaN FET与普通硅MOS管参数对比
在电源电路应用中对比
各功率变换类开关管使用及产品图
从上图可以看出，GaNFET拥有更高的开关频率，主要应用在功率在10W-5KW之间的电源，如空调、开关电源、充电器、适配器等。
在功率转换中，更高开关频率的优势
应用实例
45W超薄旅行适配器，整机高度为14mm
左为联想适配器整机图，右边为采用GaNFET设计的PCBA图，整个体积只有传统方案的40%