氮化镓二极管

2020-02-04 阅读(588)

对GA-SBD反向特性的研究是通过在Sentaurus平台内SDevice模块中令器件阳极电压恒等于0V并不断升高阴极电压同时记录阴极电流的方式进行的。值得一提的是，考...

2020-01-10 阅读(669)

本文利用SentaurusTCAD软件仿真研究GA-SBD在不同阳极功函数与不同MISFET结构凹槽深度下的正向导通特性与开启电压。 首先在Sentaurus平台里的SDE模块中建立仿真...

2020-01-03 阅读(560)

GaN横向功率整流器不断发展，其性能不断提高。然而，对于功率应用中理想的开启电压0V来说，目前的开启电压仍旧很高；而对于现有的低开启电压GaN横向...

2019-07-22 阅读(391)

1 . 在片增强型和耗尽型分立器件直流特性和反向器特性 首先进行测试的是在片的分立器件的直流特性以评价电路工艺的完成性。图1显示的是半对数坐标下...

2019-07-15 阅读(284)

AlGaN/GaN外延异质结结构从下到上由1.6um的GaN缓冲层，1nm的AlN成核层，13nm的AlGaN势垒层（Al摩尔组分为0.3），和2nm的GaN帽层构。在选择E/D模电路工艺及材料上，...

2019-07-12 阅读(361)

1 . SRAM单元电路版图设计 考虑到工艺兼容性，在本实验室工艺条件下最优的最小线宽为0.8um。0.8um线宽，可以保证光刻和其他工艺的完整性。而低于0.8um的线...

2019-07-08 阅读(288)

电平转换电路（levelshifter，LS）是将电压经过电路的转换变成需要的电压值的电路，一般是指电压降落的电路。通常用在如TTL电平到CMOS逻辑的转换上。在...

2019-07-05 阅读(274)

静态随机存储器（staticrandomaccessmemory,SRAM）是中央处理（CPU）中常用到的电路单元，基于正反馈的电路设计而成。基于GaAs基及Si基的SRAM单元电路设计，我们...

2019-07-01 阅读(378)

为考察二极管在脉冲条件下电流变化情况，对常规HEMT结构二极管和F处理HEMT结构二极管进行了脉冲测试。类似于HEMT器件的GateLag或者DrainLag测试，对HEMT结构...

2019-06-28 阅读(284)

在正向高应力实验中，考虑到本征HEMT结构二极管阳极和阴极之间的最高正向电压只能为HEMT结构二极管的内建势，对于常规HEMT结构二极管内建势为1.34eV，对...